j9九游会在线3D打印包装定制工业级3D打印包装3D打印包装技术创新三维（M3D）集成是指将功用众样的电子器件层按依序堆叠正在统一晶圆上，以升高 晶体管 密度和▽芯片功用，因其正在高功能估计、传感器集成等◁ 界 …限 的 运 用 潜力□而备受闭切。与古板的通硅通孔（TS■V）本领比拟，M3D集成 具有…更高的互连密度□和更低的延迟等好处。然而，现有的M 3D集本 钱领◁众聚会于硅原料，j9九游会网址缺乏对非硅 原○料 的广博○运用，特别是▽正在○ 大面积集 成方面。所以，何如完毕基于非硅原料的□M3D集成△成为了一个紧急的咨询挑拨。即日，来自，j9九游会网址宾夕○法尼亚州 立 大学的Saptarshi Das及其课题 组的▽ 咨询 团队正在二 维原料的异质M3D集成方面博…■得了新起色。该团队打算并制备了一种基于石墨烯和二 硫 化 钼（Mo S■₂★）原料的M3D堆叠构造，完毕了高出62，500 I◁/O○/■m□m²的○○互…连密度。这一新型 堆叠构造中正在线3D打印包装定制j9九游国际真人，第二层集成了石墨烯★ 基化 学传感器，第一层则集成了Mo△S₂基回顾晶体管，每层均==包蕴高○出500个开○发。这种打算大幅度缩小了传感器与估计元件之间的 物 □○理隔断，低落至50纳米，从而=有用■删除 了近○传感器估 计中的延迟。应用○这一立异的▽M3D○集成工艺，咨询职员告成地正在低于200°C的温度下筑设出全体堆叠，确保了与圭 表后道（B★EOL）◁工艺的兼 容性。通过完毕高密度○□的互连和功用众样的 ■★▽集成，该咨○询明显升高了器件 功能，告成取得了良好○◁□的 电气特点。这些成效为非 硅原料正在M△3D集成中=的运用斥地了新的宗旨，为高功□能电 子★器件的○开辟奠定了根基，具有宏大的运用前景。

　　本文通过众种外征本事，深远=咨询了单○层MoS₂和石 墨烯基化学■晶体管及其正在3D集成电途中的运用。起首★工业级3D打印包装◁，采用□场发射扫描电子显微镜（SEM）对2D MoS₂晶 ■体管的描述举行察看，揭示了其平均性和构造特质。通过高 分辩透 射 电子显■微镜（ T EM），挖掘其层数及晶体质地均满意单层的圭表。这些结果◁为 后续的器件○△ 功能评估供给了坚实的根基。针对MoS₂薄膜的滋长 经过，本文采用 原子力显微镜（AFM）外征了其外面状态、笼盖率和厚度，结果显★示所 制备的Mo S₂层厚度平均且牢固。通过拉曼光谱了解，作家对Mo ◁S₂和石墨烯=原○料的质地和结晶性举行了评估，挖掘其拉曼特质峰的强度比以及峰位 与外◁面值相 符，进一步 说明○了○原料的优 秀特点。正在电气特点测试方面工业级3D打印包装正在线3D打印包装定制，应用半○自愿 化的探针站对所制备器件举行了电功能丈量。结果证据，基于MoS₂的器 件正在光照要求下 显○ 现出卓=着的相=应速率和机警度。这一 挖掘不但揭示□了MoS◁₂正在光电运用中的潜力，也为从此器件的优化 打算供给了指引。正在微观机理方面，本文通过扫○描透射电子显微镜（STEM）和能谱（ED S）了解了3D集成构造中…的元素漫衍，深远领悟了原料的□彼此功用及其正在电功能上的孝敬。联合这些外征本事，作家进一步发掘了MoS₂和石墨★烯正在异质集成中的协同效 应，为完毕高功能的 3D集成电途 ■奠定了外面根基。

　　总之，进程 以上= 众 种外征 本领的归纳 …运用，本文深远了解了单层MoS₂和■石墨烯基器○件的特点，进而制备△出新型的3D异质集成原料。该咨 询不但促进了新原■料◁的繁 荣，也为下一 代高功用电子开发的打算与运用供给了紧急的本领助助。作家的管事显示了低温制备★和高密度互连续构的上风，为来日的集成电途本领繁荣供给了新的宗=旨工业级3D打印包△○装。

　　图1：二维原■料的外征 和M3D集成的筑设经过流程。图2：单体□◁ 和◁异构3D□集成电途（ ICs）。

　　本文的咨询揭示了单■层Mo S₂与石墨▽烯正在3D异质 集成电途 中的协同效应，为新型电 子器件的打算供给了紧急的★ 科学▽价格。起首，低温■ 制备本领的运用显示了原料正在集成电途中的兼容★ 性，低落了对基材的热影响，斥地=了 更广 博的 原料 采◁选 鸿○沟。其次，通过 高密度 互 连续构的打 算，明显升高=了传输效能和□ 带宽，为处分现在3D封装本领面对…的延迟和带=宽瓶颈供给了有用的处分计划。其余，联合众种外征本事，深远领悟了○原 料的微观机制及其正在器件功能中 的影响。这一系列挖掘○不但促进了石墨烯和MoS₂正在柔性电子和光电器件中的应。